HAMAMATSU   濱松   S11865- 256    硅光電二極管陣列

結(jié)合了信號(hào)處理 IC 的光電二極管陣列

S11865/S11866 系列是結(jié)合了信號(hào)處理 IC 芯片的硅光電二極管陣列。與前代產(chǎn)品（S8865/S8866 系列）相比，X 射線耐受性有所提高。信號(hào)處理 IC 芯片采用 CMOS 工藝，并集成時(shí)序發(fā)生電路、移位寄存器、電荷放大器陣列、鉗位電路和保持電路，通過(guò)將多個(gè)陣列排列成一排來(lái)配置外部電路。對(duì)于 X 射線檢測(cè)用途，還可以提供在受光面貼有磷光片的型號(hào)。

特點(diǎn)
-數(shù)據(jù)率：*大 1 MHz
-大像元間距：0.2 mm 間距 × 256 通道
-5 V 電源供電
-使用電荷放大器陣列進(jìn)行同步積分
-借助移位寄存器執(zhí)行順序讀出
-零偏壓光電二極管操作降低暗電流
-集成鉗位電路可實(shí)現(xiàn)低噪聲和寬動(dòng)態(tài)范圍
-集成時(shí)序發(fā)生電路允許在兩個(gè)不同的脈沖時(shí)序下操作
-對(duì)于 X 射線檢測(cè)，還可以提供在受光面貼有磷光片的型號(hào) (S11865-256G)

詳細(xì)參數(shù)

影像尺寸	51.2 x 0.3 mm
有效像素?cái)?shù)	256 像素
像素尺寸	0.1 x 0.3 mm
像素間距	0.2 mm
電源電壓	5 V
閃爍體	無(wú)
靈敏度波長(zhǎng)范圍	200 至 1000 nm
*大靈敏度波長(zhǎng)	720 nm
*大行速率	3844 行/秒
電荷放大器反饋電容	0.5 pF
測(cè)量條件	典型值 Ta = 25°C，除非另有說(shuō)明

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