HAMAMATSU   濱松  S13886- 128   光電二極管陣列

結(jié)合了信號(hào)處理 IC 的光電二極管陣列

這是一款結(jié)合了信號(hào)處理 IC 芯片的硅光電二極管陣列。與前代產(chǎn)品（S11865/S11866 系列）相比，信號(hào)處理 IC 芯片有所改進(jìn)，實(shí)現(xiàn)了更高的靈敏度。信號(hào)處理 IC 芯片采用 CMOS 工藝，并集成時(shí)序發(fā)生電路、移位寄存器、電荷放大器陣列、鉗位電路和保持電路，從而簡(jiǎn)化了外部電路配置。可以通過將多個(gè)陣列排列成一排來配置一個(gè)狹長(zhǎng)圖像傳感器。對(duì)于 X 射線檢測(cè)用途，還可以提供在受光面貼有磷光片的型號(hào)。

特點(diǎn)
-數(shù)據(jù)率：*大 1 MHz
-像元間距：0.8 mm 間距 × 128 通道
-3.3 V 電源供電
-使用電荷放大器陣列的同步積分方法
-零偏壓光電二極管操作降低暗電流
-集成鉗位電路可實(shí)現(xiàn)低噪聲和寬動(dòng)態(tài)范圍。
-集成時(shí)序發(fā)生電路允許在兩個(gè)不同的脈沖時(shí)序下操作。
-對(duì)于 X 射線檢測(cè)，還可以提供在受光面貼有磷光片的型號(hào) (S13886-128G)

詳細(xì)參數(shù)

影像尺寸	102.4 x 0.8 mm
有效像素?cái)?shù)	128 像素
像素尺寸	0.7 x 0.8 mm
像素間距	0.8 mm
電源電壓	3.3 V
閃爍體	無
靈敏度波長(zhǎng)范圍	200 至 1000 nm
*大靈敏度波長(zhǎng)	720 nm
*大行速率	7568 行/秒
電荷放大器反饋電容	0.125 pF
測(cè)量條件	典型值 Ta = 25°C，除非另有說明

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